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  • Artigo de periodico

    An enzymatic glucose biosensor using the BESOI MOSFET (2024)

    Yojo, Leonardo Shimizu; Rangel, R C; Duarte, Pedro Henrique; Sasaki, Kátia Regina Akemi; Martino, João Antonio

    Source: Solid State Electronics. Unidade: EP

    Subjects: GLICOSE, DRENAGEM, TRANSISTORES

    PrivadoAcesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      YOJO, Leonardo Shimizu et al. An enzymatic glucose biosensor using the BESOI MOSFET. Solid State Electronics, v. 211, n. Ja 2024, p. 1-6, 2024Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.sse.2023.108830. Acesso em: 09 maio 2024.

    • APA

      Yojo, L. S., Rangel, R. C., Duarte, P. H., Sasaki, K. R. A., & Martino, J. A. (2024). An enzymatic glucose biosensor using the BESOI MOSFET. Solid State Electronics, 211( Ja 2024), 1-6. doi:10.1016/j.sse.2023.108830

    • NLM

      Yojo LS, Rangel RC, Duarte PH, Sasaki KRA, Martino JA. An enzymatic glucose biosensor using the BESOI MOSFET [Internet]. Solid State Electronics. 2024 ;211( Ja 2024): 1-6.[citado 2024 maio 09 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2023.108830

    • Vancouver

      Yojo LS, Rangel RC, Duarte PH, Sasaki KRA, Martino JA. An enzymatic glucose biosensor using the BESOI MOSFET [Internet]. Solid State Electronics. 2024 ;211( Ja 2024): 1-6.[citado 2024 maio 09 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2023.108830

  • Artigo de periodico

    Impact of ionic species on the performance of PEDOT:PSS-based organic electrochemical transistors (2024)

    Colucci, Renan ; Feitosa, Bianca de Andrade ; Faria, Gregório Couto

    Source: Advanced Electronic Materials. Unidades: IFSC, EESC

    Subjects: TRANSISTORES, MATERIAIS ELETRÔNICOS, ELETROQUÍMICA ORGÂNICA, POLÍMEROS (QUÍMICA ORGÂNICA)

    Versão PublicadaAcesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      COLUCCI, Renan e FEITOSA, Bianca de Andrade e FARIA, Gregório Couto. Impact of ionic species on the performance of PEDOT:PSS-based organic electrochemical transistors. Advanced Electronic Materials, v. 10, n. 2, p. 2300235-1-2300235-8 + supporting information, 2024Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1002/aelm.202300235. Acesso em: 09 maio 2024.

    • APA

      Colucci, R., Feitosa, B. de A., & Faria, G. C. (2024). Impact of ionic species on the performance of PEDOT:PSS-based organic electrochemical transistors. Advanced Electronic Materials, 10( 2), 2300235-1-2300235-8 + supporting information. doi:10.1002/aelm.202300235

    • NLM

      Colucci R, Feitosa B de A, Faria GC. Impact of ionic species on the performance of PEDOT:PSS-based organic electrochemical transistors [Internet]. Advanced Electronic Materials. 2024 ; 10( 2): 2300235-1-2300235-8 + supporting information.[citado 2024 maio 09 ] Available from: https://doi.org/10.1002/aelm.202300235

    • Vancouver

      Colucci R, Feitosa B de A, Faria GC. Impact of ionic species on the performance of PEDOT:PSS-based organic electrochemical transistors [Internet]. Advanced Electronic Materials. 2024 ; 10( 2): 2300235-1-2300235-8 + supporting information.[citado 2024 maio 09 ] Available from: https://doi.org/10.1002/aelm.202300235

  • Tese (Doutorado)

    Modelagem compacta para transistores MOS: nanofios sem junções e canais bidimensionais (2024)

    Souza, Adelcio Marques de; Romero, Murilo Araujo (Orientador)

    Unidade: EESC

    Subjects: NANOELETRÔNICA, NANOTECNOLOGIA, TRANSISTORES, ENGENHARIA ELÉTRICA

    Acesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      SOUZA, Adelcio Marques de. Modelagem compacta para transistores MOS: nanofios sem junções e canais bidimensionais. 2024. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Carlos, 2024. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18155/tde-08042024-113044/. Acesso em: 09 maio 2024.

    • APA

      Souza, A. M. de. (2024). Modelagem compacta para transistores MOS: nanofios sem junções e canais bidimensionais (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Carlos. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18155/tde-08042024-113044/

    • NLM

      Souza AM de. Modelagem compacta para transistores MOS: nanofios sem junções e canais bidimensionais [Internet]. 2024 ;[citado 2024 maio 09 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18155/tde-08042024-113044/

    • Vancouver

      Souza AM de. Modelagem compacta para transistores MOS: nanofios sem junções e canais bidimensionais [Internet]. 2024 ;[citado 2024 maio 09 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18155/tde-08042024-113044/

  • Artigo de periodico

    Guidelines on measuring volumetric capacitance in organic electrochemical transistors (2024)

    Luginieski, Marcos ; Torres, Bruno Bassi Millan ; Faria, Gregório Couto

    Source: ACS Applied Electronic Materials. Unidade: IFSC

    Subjects: ELETROQUÍMICA, TRANSISTORES, POLÍMEROS (MATERIAIS)

    PrivadoAcesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      LUGINIESKI, Marcos e TORRES, Bruno Bassi Millan e FARIA, Gregório Couto. Guidelines on measuring volumetric capacitance in organic electrochemical transistors. ACS Applied Electronic Materials, v. 6, n. 4, p. 2225-2231 + supporting information: S1-S10, 2024Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1021/acsaelm.3c01673. Acesso em: 09 maio 2024.

    • APA

      Luginieski, M., Torres, B. B. M., & Faria, G. C. (2024). Guidelines on measuring volumetric capacitance in organic electrochemical transistors. ACS Applied Electronic Materials, 6( 4), 2225-2231 + supporting information: S1-S10. doi:10.1021/acsaelm.3c01673

    • NLM

      Luginieski M, Torres BBM, Faria GC. Guidelines on measuring volumetric capacitance in organic electrochemical transistors [Internet]. ACS Applied Electronic Materials. 2024 ; 6( 4): 2225-2231 + supporting information: S1-S10.[citado 2024 maio 09 ] Available from: https://doi.org/10.1021/acsaelm.3c01673

    • Vancouver

      Luginieski M, Torres BBM, Faria GC. Guidelines on measuring volumetric capacitance in organic electrochemical transistors [Internet]. ACS Applied Electronic Materials. 2024 ; 6( 4): 2225-2231 + supporting information: S1-S10.[citado 2024 maio 09 ] Available from: https://doi.org/10.1021/acsaelm.3c01673

  • Tese (Doutorado)

    Modelo eletroquímico termodinâmico (e-OECT) para transistores orgânicos eletroquímicos (2024)

    Feitosa, Bianca de Andrade ; Faria, Gregório Couto (Orientador)

    Unidade: EESC

    Subjects: POLÍMEROS (MATERIAIS), TRANSISTORES, ELETROQUÍMICA

    Acesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      FEITOSA, Bianca de Andrade. Modelo eletroquímico termodinâmico (e-OECT) para transistores orgânicos eletroquímicos. 2024. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Carlos, 2024. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18158/tde-29042024-141636/. Acesso em: 09 maio 2024.

    • APA

      Feitosa, B. de A. (2024). Modelo eletroquímico termodinâmico (e-OECT) para transistores orgânicos eletroquímicos (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Carlos. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18158/tde-29042024-141636/

    • NLM

      Feitosa B de A. Modelo eletroquímico termodinâmico (e-OECT) para transistores orgânicos eletroquímicos [Internet]. 2024 ;[citado 2024 maio 09 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18158/tde-29042024-141636/

    • Vancouver

      Feitosa B de A. Modelo eletroquímico termodinâmico (e-OECT) para transistores orgânicos eletroquímicos [Internet]. 2024 ;[citado 2024 maio 09 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18158/tde-29042024-141636/

  • Artigo de periodico

    Experimental study of MISHEMT from 450 K down to 200 K for analog applications (2023)

    Perina, Welder Fernandes; Martino, João Antonio ; Simoen, Eddy ; Peralagu, Uthayasankaran; Collaert, Nadine ; Agopian, Paula Ghedini Der

    Source: Solid State Electronics. Unidade: EP

    Subjects: TRANSISTORES, CIRCUITOS ANALÓGICOS, SEMICONDUTORES

    Acesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      PERINA, Welder Fernandes et al. Experimental study of MISHEMT from 450 K down to 200 K for analog applications. Solid State Electronics, v. 208, p. 1-4, 2023Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.sse.2023.108742. Acesso em: 09 maio 2024.

    • APA

      Perina, W. F., Martino, J. A., Simoen, E., Peralagu, U., Collaert, N., & Agopian, P. G. D. (2023). Experimental study of MISHEMT from 450 K down to 200 K for analog applications. Solid State Electronics, 208, 1-4. doi:10.1016/j.sse.2023.108742

    • NLM

      Perina WF, Martino JA, Simoen E, Peralagu U, Collaert N, Agopian PGD. Experimental study of MISHEMT from 450 K down to 200 K for analog applications [Internet]. Solid State Electronics. 2023 ; 208 1-4.[citado 2024 maio 09 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2023.108742

    • Vancouver

      Perina WF, Martino JA, Simoen E, Peralagu U, Collaert N, Agopian PGD. Experimental study of MISHEMT from 450 K down to 200 K for analog applications [Internet]. Solid State Electronics. 2023 ; 208 1-4.[citado 2024 maio 09 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2023.108742

  • Trabalho de evento-resumo

    High on/off ratio on PEDOT:PSS-based OECT (2023)

    Torres, Bruno Bassi Millan ; Luginieski, Marcos ; Faria, Gregório Couto

    Source: Livro de Resumos. Conference titles: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidade: IFSC

    Subjects: ELETROQUÍMICA ORGÂNICA, TRANSISTORES

    Versão PublicadaHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      TORRES, Bruno Bassi Millan e LUGINIESKI, Marcos e FARIA, Gregório Couto. High on/off ratio on PEDOT:PSS-based OECT. 2023, Anais.. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2023. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/e6297fc3-0f7a-4c07-8bd7-ba561d9bbe17/3180288.pdf. Acesso em: 09 maio 2024.

    • APA

      Torres, B. B. M., Luginieski, M., & Faria, G. C. (2023). High on/off ratio on PEDOT:PSS-based OECT. In Livro de Resumos. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/e6297fc3-0f7a-4c07-8bd7-ba561d9bbe17/3180288.pdf

    • NLM

      Torres BBM, Luginieski M, Faria GC. High on/off ratio on PEDOT:PSS-based OECT [Internet]. Livro de Resumos. 2023 ;[citado 2024 maio 09 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/e6297fc3-0f7a-4c07-8bd7-ba561d9bbe17/3180288.pdf

    • Vancouver

      Torres BBM, Luginieski M, Faria GC. High on/off ratio on PEDOT:PSS-based OECT [Internet]. Livro de Resumos. 2023 ;[citado 2024 maio 09 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/e6297fc3-0f7a-4c07-8bd7-ba561d9bbe17/3180288.pdf

  • Artigo de periodico

    Cu-modified electrolyte-gated transistors based on reduced graphene oxide (2023)

    Ferreira, Rafael Cintra Hensel ; Comisso, Nicola ; Musiani, Marco ; Sedona, Francesco ; Sambi, Mauro ; Cester, Andrea ; Lago, Nicolò ; Casalini, Stefano

    Source: Journal of Materials Chemistry C. Unidade: IFSC

    Subjects: COBRE, TRANSISTORES, ELETRÔNICA

    Versão PublicadaAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      FERREIRA, Rafael Cintra Hensel et al. Cu-modified electrolyte-gated transistors based on reduced graphene oxide. Journal of Materials Chemistry C, v. 11, n. 26, p. 8876-8884 + supplementary information, 2023Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1039/d3tc00596h. Acesso em: 09 maio 2024.

    • APA

      Ferreira, R. C. H., Comisso, N., Musiani, M., Sedona, F., Sambi, M., Cester, A., et al. (2023). Cu-modified electrolyte-gated transistors based on reduced graphene oxide. Journal of Materials Chemistry C, 11( 26), 8876-8884 + supplementary information. doi:10.1039/d3tc00596h

    • NLM

      Ferreira RCH, Comisso N, Musiani M, Sedona F, Sambi M, Cester A, Lago N, Casalini S. Cu-modified electrolyte-gated transistors based on reduced graphene oxide [Internet]. Journal of Materials Chemistry C. 2023 ; 11( 26): 8876-8884 + supplementary information.[citado 2024 maio 09 ] Available from: https://doi.org/10.1039/d3tc00596h

    • Vancouver

      Ferreira RCH, Comisso N, Musiani M, Sedona F, Sambi M, Cester A, Lago N, Casalini S. Cu-modified electrolyte-gated transistors based on reduced graphene oxide [Internet]. Journal of Materials Chemistry C. 2023 ; 11( 26): 8876-8884 + supplementary information.[citado 2024 maio 09 ] Available from: https://doi.org/10.1039/d3tc00596h

  • Artigo de periodico

    ISFET fabrication and characterization for hydrogen peroxide sensing (2023)

    Duarte, Pedro Henrique; Rangel, Ricardo Cardoso; Ramos, Daniel Augusto; Yojo, Leonardo Shimizu; Mori, Carlos Augusto Bergfeld; Sasaki, Katia Regina Akemi; Agopian, Paula Ghedini Der ; Martino, João Antonio

    Source: Journal of Integrated Circuits and Systems. Unidade: EP

    Subjects: TRANSISTORES, SOLUÇÕES

    Versão PublicadaAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      DUARTE, Pedro Henrique et al. ISFET fabrication and characterization for hydrogen peroxide sensing. Journal of Integrated Circuits and Systems, v. 18, n. 1, p. 1-4, 2023Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.29292/jics.v18i1.646. Acesso em: 09 maio 2024.

    • APA

      Duarte, P. H., Rangel, R. C., Ramos, D. A., Yojo, L. S., Mori, C. A. B., Sasaki, K. R. A., et al. (2023). ISFET fabrication and characterization for hydrogen peroxide sensing. Journal of Integrated Circuits and Systems, 18( 1), 1-4. doi:10.29292/jics.v18i1.646

    • NLM

      Duarte PH, Rangel RC, Ramos DA, Yojo LS, Mori CAB, Sasaki KRA, Agopian PGD, Martino JA. ISFET fabrication and characterization for hydrogen peroxide sensing [Internet]. Journal of Integrated Circuits and Systems. 2023 ; 18( 1): 1-4.[citado 2024 maio 09 ] Available from: https://doi.org/10.29292/jics.v18i1.646

    • Vancouver

      Duarte PH, Rangel RC, Ramos DA, Yojo LS, Mori CAB, Sasaki KRA, Agopian PGD, Martino JA. ISFET fabrication and characterization for hydrogen peroxide sensing [Internet]. Journal of Integrated Circuits and Systems. 2023 ; 18( 1): 1-4.[citado 2024 maio 09 ] Available from: https://doi.org/10.29292/jics.v18i1.646

  • Trabalho de evento

    Analysis of the trade-off between voltage gain and frequency response of OTA designed using experimental data of omega-gate nanowire SOI MOSFETs (2023)

    Araújo, Gustavo Vinicius de; Martino, João Antonio ; Agopian, Paula Ghedini Der

    Source: SBMicro. Conference titles: Symposium on Microelectronics Technology and Devices. Unidade: EP

    Subjects: TRANSISTORES, CIRCUITOS ANALÓGICOS, MICROELETRÔNICA, MATERIAIS NANOESTRUTURADOS

    PrivadoAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      ARAÚJO, Gustavo Vinicius de e MARTINO, João Antonio e AGOPIAN, Paula Ghedini Der. Analysis of the trade-off between voltage gain and frequency response of OTA designed using experimental data of omega-gate nanowire SOI MOSFETs. 2023, Anais.. [Piscataway, N.J.]: IEEE, 2023. Disponível em: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302603. Acesso em: 09 maio 2024.

    • APA

      Araújo, G. V. de, Martino, J. A., & Agopian, P. G. D. (2023). Analysis of the trade-off between voltage gain and frequency response of OTA designed using experimental data of omega-gate nanowire SOI MOSFETs. In SBMicro. [Piscataway, N.J.]: IEEE. doi:10.1109/SBMicro60499.2023.10302603

    • NLM

      Araújo GV de, Martino JA, Agopian PGD. Analysis of the trade-off between voltage gain and frequency response of OTA designed using experimental data of omega-gate nanowire SOI MOSFETs [Internet]. SBMicro. 2023 ;[citado 2024 maio 09 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302603

    • Vancouver

      Araújo GV de, Martino JA, Agopian PGD. Analysis of the trade-off between voltage gain and frequency response of OTA designed using experimental data of omega-gate nanowire SOI MOSFETs [Internet]. SBMicro. 2023 ;[citado 2024 maio 09 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302603

  • Artigo de periodico

    Evaluation of n-type gate-all-around vertically-stacked nanosheet FETs from 473 K down to 173 K for analog applications (2023)

    Silva, V C P; Martino, João Antonio ; Simoen, Eddy ; Veloso, Anabela; Agopian, Paula Ghedini Der

    Source: Solid State Electronics. Unidade: EP

    Subjects: TRANSISTORES, TEMPERATURA, NANOTECNOLOGIA, CIRCUITOS ANALÓGICOS, CIRCUITOS DIGITAIS

    PrivadoAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      SILVA, V C P et al. Evaluation of n-type gate-all-around vertically-stacked nanosheet FETs from 473 K down to 173 K for analog applications. Solid State Electronics, v. 208, p. 1-5, 2023Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.sse.2023.108729. Acesso em: 09 maio 2024.

    • APA

      Silva, V. C. P., Martino, J. A., Simoen, E., Veloso, A., & Agopian, P. G. D. (2023). Evaluation of n-type gate-all-around vertically-stacked nanosheet FETs from 473 K down to 173 K for analog applications. Solid State Electronics, 208, 1-5. doi:10.1016/j.sse.2023.108729

    • NLM

      Silva VCP, Martino JA, Simoen E, Veloso A, Agopian PGD. Evaluation of n-type gate-all-around vertically-stacked nanosheet FETs from 473 K down to 173 K for analog applications [Internet]. Solid State Electronics. 2023 ;208 1-5.[citado 2024 maio 09 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2023.108729

    • Vancouver

      Silva VCP, Martino JA, Simoen E, Veloso A, Agopian PGD. Evaluation of n-type gate-all-around vertically-stacked nanosheet FETs from 473 K down to 173 K for analog applications [Internet]. Solid State Electronics. 2023 ;208 1-5.[citado 2024 maio 09 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2023.108729

  • Artigo de periodico

    Hybrid low-dropout voltage regulator designed with TFET-MOSFET nanowire technologies (2023)

    Toledo, Rodrigo do Nascimento; Martino, João Antonio ; Agopian, Paula Ghedini Der

    Source: Semiconductor Science and Technology. Unidade: EP

    Subjects: CIRCUITOS ANALÓGICOS, TRANSISTORES

    PrivadoAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      TOLEDO, Rodrigo do Nascimento e MARTINO, João Antonio e AGOPIAN, Paula Ghedini Der. Hybrid low-dropout voltage regulator designed with TFET-MOSFET nanowire technologies. Semiconductor Science and Technology, v. 38, n. 9, p. 1-12, 2023Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/1361-6641/aceb84. Acesso em: 09 maio 2024.

    • APA

      Toledo, R. do N., Martino, J. A., & Agopian, P. G. D. (2023). Hybrid low-dropout voltage regulator designed with TFET-MOSFET nanowire technologies. Semiconductor Science and Technology, 38( 9), 1-12. doi:10.1088/1361-6641/aceb84

    • NLM

      Toledo R do N, Martino JA, Agopian PGD. Hybrid low-dropout voltage regulator designed with TFET-MOSFET nanowire technologies [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 2023 ; 38( 9): 1-12.[citado 2024 maio 09 ] Available from: https://doi.org/10.1088/1361-6641/aceb84

    • Vancouver

      Toledo R do N, Martino JA, Agopian PGD. Hybrid low-dropout voltage regulator designed with TFET-MOSFET nanowire technologies [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 2023 ; 38( 9): 1-12.[citado 2024 maio 09 ] Available from: https://doi.org/10.1088/1361-6641/aceb84

  • Artigo de periodico

    Comparison of low-dropout voltage regulators designed with line and nanowire tunnel-FET experimental data including a simple process variability analysis (2023)

    Silva, Wenita de Lima; Toledo, Rodrigo do Nascimento; Gonçalez Filho, Walter; Nogueira, Alexandro de Moraes; Agopian, Paula Ghedini Der ; Martino, João Antonio

    Source: Solid State Electronics. Unidade: EP

    Subjects: TRANSISTORES, CIRCUITOS ANALÓGICOS, NANOTECNOLOGIA

    PrivadoAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      SILVA, Wenita de Lima et al. Comparison of low-dropout voltage regulators designed with line and nanowire tunnel-FET experimental data including a simple process variability analysis. Solid State Electronics, v. 202, p. 1-8, 2023Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.sse.2023.108611. Acesso em: 09 maio 2024.

    • APA

      Silva, W. de L., Toledo, R. do N., Gonçalez Filho, W., Nogueira, A. de M., Agopian, P. G. D., & Martino, J. A. (2023). Comparison of low-dropout voltage regulators designed with line and nanowire tunnel-FET experimental data including a simple process variability analysis. Solid State Electronics, 202, 1-8. doi:10.1016/j.sse.2023.108611

    • NLM

      Silva W de L, Toledo R do N, Gonçalez Filho W, Nogueira A de M, Agopian PGD, Martino JA. Comparison of low-dropout voltage regulators designed with line and nanowire tunnel-FET experimental data including a simple process variability analysis [Internet]. Solid State Electronics. 2023 ; 202 1-8.[citado 2024 maio 09 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2023.108611

    • Vancouver

      Silva W de L, Toledo R do N, Gonçalez Filho W, Nogueira A de M, Agopian PGD, Martino JA. Comparison of low-dropout voltage regulators designed with line and nanowire tunnel-FET experimental data including a simple process variability analysis [Internet]. Solid State Electronics. 2023 ; 202 1-8.[citado 2024 maio 09 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2023.108611

  • Dissertação (Mestrado)

    Proposta de um transistor BESOI MOSFET com contatos duplos de alumínio em dreno/fonte (2023)

    Carvalho, Henrique Lanfredi; Martino, João Antonio (Orientador) ; Rangel, Ricardo Cardoso (coorient)

    Unidade: EP

    Subjects: TRANSISTORES, ALUMÍNIO

    Acesso à fonteHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      CARVALHO, Henrique Lanfredi. Proposta de um transistor BESOI MOSFET com contatos duplos de alumínio em dreno/fonte. 2023. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2023. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-22052023-112949/. Acesso em: 09 maio 2024.

    • APA

      Carvalho, H. L. (2023). Proposta de um transistor BESOI MOSFET com contatos duplos de alumínio em dreno/fonte (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-22052023-112949/

    • NLM

      Carvalho HL. Proposta de um transistor BESOI MOSFET com contatos duplos de alumínio em dreno/fonte [Internet]. 2023 ;[citado 2024 maio 09 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-22052023-112949/

    • Vancouver

      Carvalho HL. Proposta de um transistor BESOI MOSFET com contatos duplos de alumínio em dreno/fonte [Internet]. 2023 ;[citado 2024 maio 09 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-22052023-112949/

  • Tese (Doutorado)

    Projeto e fabricação de um BESOI Túnel-FET como elemento biossensor (2023)

    Mori, Carlos Augusto Bergfeld; Martino, João Antonio (Orientador) ; Der Agopian, Paula Ghedini (coorient)

    Unidade: EP

    Assunto: TRANSISTORES

    Acesso à fonteHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      MORI, Carlos Augusto Bergfeld. Projeto e fabricação de um BESOI Túnel-FET como elemento biossensor. 2023. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2023. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-30112023-083404/. Acesso em: 09 maio 2024.

    • APA

      Mori, C. A. B. (2023). Projeto e fabricação de um BESOI Túnel-FET como elemento biossensor (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-30112023-083404/

    • NLM

      Mori CAB. Projeto e fabricação de um BESOI Túnel-FET como elemento biossensor [Internet]. 2023 ;[citado 2024 maio 09 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-30112023-083404/

    • Vancouver

      Mori CAB. Projeto e fabricação de um BESOI Túnel-FET como elemento biossensor [Internet]. 2023 ;[citado 2024 maio 09 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-30112023-083404/

  • Trabalho de evento

    Influence of the source/drain doping region on the reconfigurability of BESOI MOSFET (2023)

    Ramos, Daniel Augusto; Sasaki, Kátia Regina Akemi ; Rangel, Ricardo Cardoso; Duarte, Pedro Henrique; Martino, João Antonio

    Source: SBMicro. Conference titles: Symposium on Microelectronics Technology and Devices. Unidade: EP

    Subjects: DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, TRANSISTORES, MICROELETRÔNICA

    PrivadoAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      RAMOS, Daniel Augusto et al. Influence of the source/drain doping region on the reconfigurability of BESOI MOSFET. 2023, Anais.. [Piscataway, N.J.]: IEEE, 2023. Disponível em: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302644. Acesso em: 09 maio 2024.

    • APA

      Ramos, D. A., Sasaki, K. R. A., Rangel, R. C., Duarte, P. H., & Martino, J. A. (2023). Influence of the source/drain doping region on the reconfigurability of BESOI MOSFET. In SBMicro. [Piscataway, N.J.]: IEEE. doi:10.1109/SBMicro60499.2023.10302644

    • NLM

      Ramos DA, Sasaki KRA, Rangel RC, Duarte PH, Martino JA. Influence of the source/drain doping region on the reconfigurability of BESOI MOSFET [Internet]. SBMicro. 2023 ;[citado 2024 maio 09 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302644

    • Vancouver

      Ramos DA, Sasaki KRA, Rangel RC, Duarte PH, Martino JA. Influence of the source/drain doping region on the reconfigurability of BESOI MOSFET [Internet]. SBMicro. 2023 ;[citado 2024 maio 09 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302644

  • Trabalho de evento

    Trade-off between channel length and mechanical stress in the operational transconductance amplifier designed with SOI FinFET (2023)

    Ribeiro, Arllen D.R; Araújo, Gustavo Vinicius de; Martino, João Antonio ; Agopian, Paula Ghedini Der

    Source: SBMicro. Conference titles: Symposium on Microelectronics Technology and Devices. Unidade: EP

    Subjects: DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, TRANSISTORES, MICROELETRÔNICA

    PrivadoAcesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      RIBEIRO, Arllen D.R et al. Trade-off between channel length and mechanical stress in the operational transconductance amplifier designed with SOI FinFET. 2023, Anais.. [Piscataway, N.J.]: IEEE, 2023. Disponível em: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302575. Acesso em: 09 maio 2024.

    • APA

      Ribeiro, A. D. R., Araújo, G. V. de, Martino, J. A., & Agopian, P. G. D. (2023). Trade-off between channel length and mechanical stress in the operational transconductance amplifier designed with SOI FinFET. In SBMicro. [Piscataway, N.J.]: IEEE. doi:10.1109/SBMicro60499.2023.10302575

    • NLM

      Ribeiro ADR, Araújo GV de, Martino JA, Agopian PGD. Trade-off between channel length and mechanical stress in the operational transconductance amplifier designed with SOI FinFET [Internet]. SBMicro. 2023 ;[citado 2024 maio 09 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302575

    • Vancouver

      Ribeiro ADR, Araújo GV de, Martino JA, Agopian PGD. Trade-off between channel length and mechanical stress in the operational transconductance amplifier designed with SOI FinFET [Internet]. SBMicro. 2023 ;[citado 2024 maio 09 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302575

  • Trabalho de evento

    Influence of gate insulator and AlGaN barrier layer on MISHEMT conduction mechanisms (2023)

    Canales, Bruno Godoy; Martino, João Antonio ; Agopian, Paula Ghedini Der

    Source: SBMicro. Conference titles: Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro). Unidade: EP

    Subjects: TRANSISTORES, SEMICONDUTORES

    PrivadoAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      CANALES, Bruno Godoy e MARTINO, João Antonio e AGOPIAN, Paula Ghedini Der. Influence of gate insulator and AlGaN barrier layer on MISHEMT conduction mechanisms. 2023, Anais.. [Piscataway]: IEEE, 2023. Disponível em: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302593. Acesso em: 09 maio 2024.

    • APA

      Canales, B. G., Martino, J. A., & Agopian, P. G. D. (2023). Influence of gate insulator and AlGaN barrier layer on MISHEMT conduction mechanisms. In SBMicro. [Piscataway]: IEEE. doi:10.1109/SBMicro60499.2023.10302593

    • NLM

      Canales BG, Martino JA, Agopian PGD. Influence of gate insulator and AlGaN barrier layer on MISHEMT conduction mechanisms [Internet]. SBMicro. 2023 ;[citado 2024 maio 09 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302593

    • Vancouver

      Canales BG, Martino JA, Agopian PGD. Influence of gate insulator and AlGaN barrier layer on MISHEMT conduction mechanisms [Internet]. SBMicro. 2023 ;[citado 2024 maio 09 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302593

  • Trabalho de evento

    Study of the effect of multiple conductions on threshold voltage in a MIS-HEMT from 450 K down to 200 K (2023)

    Perina, Welder Fernandes; Martino, João Antonio ; Simoen, Eddy ; Peralagu, Uthayasankaran; Collaert, Nadine ; Agopian, Paula Ghedini Der

    Source: SBMicro. Conference titles: Symposium on Microelectronics Technology and Devices. Unidade: EP

    Subjects: TRANSISTORES, SEMICONDUTORES

    PrivadoAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      PERINA, Welder Fernandes et al. Study of the effect of multiple conductions on threshold voltage in a MIS-HEMT from 450 K down to 200 K. 2023, Anais.. [Piscataway, N.J.]: IEEE, 2023. Disponível em: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302604. Acesso em: 09 maio 2024.

    • APA

      Perina, W. F., Martino, J. A., Simoen, E., Peralagu, U., Collaert, N., & Agopian, P. G. D. (2023). Study of the effect of multiple conductions on threshold voltage in a MIS-HEMT from 450 K down to 200 K. In SBMicro. [Piscataway, N.J.]: IEEE. doi:10.1109/SBMicro60499.2023.10302604

    • NLM

      Perina WF, Martino JA, Simoen E, Peralagu U, Collaert N, Agopian PGD. Study of the effect of multiple conductions on threshold voltage in a MIS-HEMT from 450 K down to 200 K [Internet]. SBMicro. 2023 ;[citado 2024 maio 09 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302604

    • Vancouver

      Perina WF, Martino JA, Simoen E, Peralagu U, Collaert N, Agopian PGD. Study of the effect of multiple conductions on threshold voltage in a MIS-HEMT from 450 K down to 200 K [Internet]. SBMicro. 2023 ;[citado 2024 maio 09 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302604

  • Artigo de periodico

    Experimental study of MISHEMT from 450k down to 200 k for analog applications (2023)

    Perina, Welder Fernandes; Martino, João Antonio ; Simoen, Eddy ; Peralagu, Uthayasankaran; Collaert, Nadine ; Agopian, Paula Ghedini Der

    Source: Solid State Electronics. Unidade: EP

    Subjects: TRANSISTORES, CIRCUITOS ANALÓGICOS, TEMPERATURA

    PrivadoAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      PERINA, Welder Fernandes et al. Experimental study of MISHEMT from 450k down to 200 k for analog applications. Solid State Electronics, v. 208, p. 1-4, 2023Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.sse.2023.108742. Acesso em: 09 maio 2024.

    • APA

      Perina, W. F., Martino, J. A., Simoen, E., Peralagu, U., Collaert, N., & Agopian, P. G. D. (2023). Experimental study of MISHEMT from 450k down to 200 k for analog applications. Solid State Electronics, 208, 1-4. doi:10.1016/j.sse.2023.108742

    • NLM

      Perina WF, Martino JA, Simoen E, Peralagu U, Collaert N, Agopian PGD. Experimental study of MISHEMT from 450k down to 200 k for analog applications [Internet]. Solid State Electronics. 2023 ; 208 1-4.[citado 2024 maio 09 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2023.108742

    • Vancouver

      Perina WF, Martino JA, Simoen E, Peralagu U, Collaert N, Agopian PGD. Experimental study of MISHEMT from 450k down to 200 k for analog applications [Internet]. Solid State Electronics. 2023 ; 208 1-4.[citado 2024 maio 09 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2023.108742

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